Hier "3D-Daten" zu FET+Shunt ("LH") und standalone MOSFET-Schalter "H3"
Dazu noch ein paar Worte:
Bei der FET+Shunt Kombination ("LH") fehlen in dem File natürlich die Kühlbleche auf beiden Seiten, die jeweils ~ 3 mm über bzw. unter der Platine beginnen und für die ersten Muster ~ 2 mm dick sein werden.
Für "LH" gibt es zunächst 2 Bestückungsvarianten:
1.) ~ 200 A nominaler Dauerstrom, ~ 200 uOhm Shunt
2.) ~ 150 A nominaler Dauerstrom, ~ 300 uOhm Shunt
Von der neusten Revision des standalone MOSFET-Schalters "H3" gibt es zunächst auch 2 Bestückungsvarianten:
1.) ~ 120 A nominaler Dauerstrom
2.) ~ 80 A nominaler Dauerstrom
Die sind beide zur Komibination mit einem ~ 400 uOhm Shunt, dem man ohne zusätzliche Kühlung im Moment dauerhaft nicht mehr als 100 A zumuten sollte, gedacht.
Für deine Anlage machen die aktuellen Bestückungsvarianten von "LH" eigentlich keinen Sinn, insbesondere weil man damit unnötigerweise Stromauflösung und damit SOC-Genauigkeit opfert.