Da Panels ab nicht abgedeckt, sondern abgedunkelt werden, stellt sich dieser Fall in der Praxis eh nicht ein.
Das ist der Punkt, den ich bis Gestern gar nicht bedacht hatte. Das hatte ich von Dir in einem anderen Thread gelesen. Danke dafür.
Und auf dem Bild sieht man, dass Umpp nahezu unabhängig von der Beleuchtungsstärke ist, zumindest bei diesem Modul.
Verlustwiderstände (durch Leitungen) verschieben Umpp mit steigender Leistung zu kleineren Werten. Das ist hier kaum der Fall, gutes Modul eben.
Was mich noch interessiert ist, wie sich das bei den Halbzellenmodulen mit der Abschattung auswirkt bei Teilabschattung des Moduls mit Tracking durch Maximum finden und dem Thermischen Tracking. Das teste ich wenn ich wieder mal auf dem Dach bin.
Und warum ? Du siehst doch an deinen eigenen Keistungs-Kurven, Dass die Kurven oben flach und gut gerundet sind, das heisst in dem bereich spannungsänderung hat kaum Einfluss auf die leistung.
Und auf dem Bild sieht man, dass Umpp nahezu unabhängig von der Beleuchtungsstärke ist, zumindest bei diesem Modul.
Das ist bei allen (Si)-Modulen so, die ich bisher gesehen habe. Der abfall unterhalb 10 % leistung kommt wharscheinlich einfach daher, weil Verluste/restströme gleich bleiben und dann mehr von dem Verlust "mitgenommen" wird, der bei hohen Lichtstärken in kauf genommen wir/werden muss.
Verlustwiderstände (durch Leitungen) verschieben Umpp mit steigender Leistung zu kleineren Werten. Das ist hier kaum der Fall, gutes Modul eben.
Hab ich für strings bisher kaum in betracht gezogen. Bei parallelen Modulen, und enttsprechend hohem strom bei niedriger Spannung könnte da ein Einfluss sein.
Was mich noch interessiert ist, wie sich das bei den Halbzellenmodulen mit der Abschattung auswirkt bei Teilabschattung des Moduls mit Tracking durch Maximum finden und dem Thermischen Tracking. Das teste ich wenn ich wieder mal auf dem Dach bin.
Eigentlich sind Halbzellenmodule zwei parallele Module in einem Gehäuse. Haben die Teile eigentlich getrennte bypassdioden ? (grübel..... wahrscheinlich nicht)
Im prinzip, bzw. hauptsächlich, hat man nur den einen Vorteil, dass eine "Postkarte" keine "ganze" Zelle abschatten kann, sondern nur eine "halbe".
Damit kostet eine "Postkarte" nicht 100 % Leistung, sondern nur 50%. Aber wenn man an gewöhnliche Fälle denkt, schräge wandernde Schlagschatten, hat man garnicht soviel gewonnen.
Ich bin kein Amateur, aber ich lerne trotzdem noch.
Bürokratie schafft man nicht durch neue Regeln oder Gesetze ab.
SOC ist ein NTCV Parameter
Und warum ? Du siehst doch an deinen eigenen Keistungs-Kurven, Dass die Kurven oben flach und gut gerundet sind, das heisst in dem bereich spannungsänderung hat kaum Einfluss auf die leistung.
Der Überspannte Bereich beginnt, wo die Z-Spannung am niedrigsten ist. Ich müsste das jetzt noch an meine Kennlinien angleichen und dann habe ich ein Modell für mein Solarmodul.
Aber für grundsätzliche Fragen kann man ja mit dem Modell hier diverse Situationen durchspielen und korrekte Antworten erhalten. Ist schon eine tolle Sache.
Als Kennlinie für die Kennlinie der z Diode musst du die normal Durchflusskennlinie einer SIbdiode annehmen, natürlich mehrfach entsprechend der Zellen Zahl. Und mit einigen Schmutzeffekten , weil es eine ziemlich verunstaltet SI-diode ist. Schlechter Sperrbereich usw
Ich bin kein Amateur, aber ich lerne trotzdem noch.
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