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'An den Grenzen zwischen N und P-Dotierten-Bereich, kommt es zum sogenannten PN-Übergang.'
Deswegen sah ich immer, man muss auch verstehen, was man liest.
Beim Transistor fliesst der Strom über die PN Übergänge, beim mosfet dient er zu Isolationszwecken, das ist die bekannte Rückwärtsdiode.
Ich bin kein Amateur, aber ich lerne trotzdem noch.
Bürokratie schafft man nicht durch neue Regeln oder Gesetze ab.
SOC ist ein NTCV Parameter
BIP und FET
Sind beides Transistoren 😁
Der BIP nutzt den PN Übergang
Der FET nutzt den Feldeffekt
Sollte Interesse bestehen, erkläre ich gern, wie ein FET arbeitet und was MOS bedeutet.....
Mach doch! 
Ich bin kein Amateur, aber ich lerne trotzdem noch.
Bürokratie schafft man nicht durch neue Regeln oder Gesetze ab.
SOC ist ein NTCV Parameter
Stellen wir uns einen N dotierten Halbleiter mit Anschlüssen links und rechts vor.
Ein Rechteck
Ist ein Halbleiter, leitet Strom, in beide Richtungen, der Donator hat den Kristall verunreinigt.
Da legen wir nun eine dünne Glasplatte drauf, die auf der dem Halbleiter angewendeten Seite leitend ist. Das nennen wir mal Gate.
Metalle sind Leiter, Elektronen sind als "Elektronengaswolke" frei beweglich.
Einfache Physik - gleichnamige Ladungen stoßen sich ab, verdrängen sich, die beweglichen Ladungdsträger im Halbleiter (Elektronen) werden durch die im Gate verdrängt. Damit wird der Halbleiter zum Isolator. Die beweglichen Ladungdsträger sind verdrängt.
Eröht man das elektrische Feld vom Gate, werden weitere, unbewegliche Elektronen aus dem Kristallgitter verdrängt. Es bleiben Löcher, diese ermöglichen einem Ladungsträgerstrom zwischen den beiden Anschlüssen am Halbleiter.
Es ist also die Invarsionsschicht, die den Stromfluss ermöglicht, ein Minioritätsladungstragerstrom.
M - Metall
O - Oxid = Isolator - zB Glas
S - Halbleiter
F - Feld
E - Effekt
T - Transistor
Spannungsgesteuert, PN hat keine Bedeutung.