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Moin,
gestern Abend hat sich mein MP2 mit Unterspannungsmeldung abgeschaltet . Die Überprüfung ergab die Meldung "Protection (Discharge Short Circuit)" vom JK BMS. Ich habe die Anlage daraufhin spannungslos geschaltet und den Akkustecker abgezogen.
Heute morgen habe ich erst einmal die Leitungen der beiden MPPT und des MP2 an der Plus-Schiene abgeklemmt und die Datenleitungen abgezogen.
Die Widerstandsmessungen an den MPPT ergab einen unendlich hohen Widerstand, die Messung am MP2 etwas mehr als 20MOhm.
Der Akku wurde zugeschaltet, es gab keine Fehlermeldung.
Dann habe ich den ersten MPPT plusseitig angeklemmt und den Akku zugeschaltet, es kam die obige Fehlermeldung. Der erste MPPT wurde wieder abgeklemmt, der Akku wurde weggeschaltet.
Dann habe ich den zweiten MPPT plusseitig angeklemmt und den Akku zugeschaltet, es kam die obige Fehlermeldung. Der zweite MPPT wurde wieder abgeklemmt, der Akku wurde weggeschaltet.
Dann habe ich den MP2 plusseitig angeklemmt und den Akku zugeschaltet, es kam die obige Fehlermeldung. Der MP2 wurde wieder abgeklemmt, der Akku wurde weggeschaltet und der Akkustecker abgezogen.
Die beiden MPPT und der MP2 wurden wieder an die Plusschiene angeschlossen, die Datenleitungen angeschlossen, alles eingeschaltet, läuft (nur eben ohne Akku).
Gibt es im Forum jemanden, der die gleichen Erfahrungen gemacht hat? Ist das JK BMS hinüber?
Gruß
Kojote
Wer glaubt, daß Volksvertreter das Volk vertreten, der glaubt auch, daß Zitronenfalter Zitronen falten.
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Moin,
gestern Abend hat sich mein MP2 mit Unterspannungsmeldung abgeschaltet . Die Überprüfung ergab die Meldung "Protection (Discharge Short Circuit)" vom JK BMS. Ich habe die Anlage daraufhin
Kurzschluss ?
Was hast Du denn eingestellt für max. Strom ?
Was zeigt das Ding denn für Ströme an, passt das oder hat der interne Shunt eine Macke.
Hallo,
hab ein ähnliches Problem nur ist bei mit die Fehlermeldung in Gelber Schrift (Level 2)
@Kojote hast du eine Lösung gefunden?
Moin,
ich habe nichts gefunden und die Anlage am nächsten Morgen wieder angeschlossen und iB genommen; der Fehler ist nie wieder aufgetaucht.
Die Ströme haben gepaßt, die Anlagenkomponenten hatten keine Macken und seit diesem Vorfall läuft alles wie geölt und ohne Streß.
Ich kann dir da leider nicht weiterhelfen.
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OK danke trotzdem.
Ich suche Mal weiter...
So schaut das bei mir aus
Konnte mein Problem lösen indem ich den JK BMS Parameter "SCP delay": 5000.00
Gesetzt hab
Hallo, diese Info hat mir gerade den Tag gerettet. Ich war kurz davor meinen MP2 und RS450 zu tauschen.
Danke euch!
ich liebe euch 
Bei mir mit der Einstellung auch alles gut !
Stand bei mir auf 1500
Hat jemand Lust den Parameter zu erklären ?
Danke
M.W. gibt der Wert an, ab welcher Zeit ein auftretender Überstrom (also über dem eingestellten Höchstwert) als short circuit eingestuft wird. Es geht darum den surge current, also den hohen Einschaltstrom z.B. bei der Anbindung des WR oder anderer Geräte mit großem Eingangs-Elko vernünftig zu handeln. Der Wert wird in Microsekunden angegeben und steht per default auf 1500, also 1,5 ms. 5000 wären dann 5 ms - in dieser Zeit müssen dann die Elkos so weit geladen sein, dass der Strom unter seinem Maximalwert liegt. Normalerweise geschieht das in Bruchteilen von Millisekunden - habe mal die Entladung eines großen 1F Elkos mit Oszilloskop gemessen. Waren 6 - 7 kA (ja 6000-7000 A) in weniger als einer halben ms.
Bei mir steht der Wert auch noch auf 1500 us, hatte bisher keine Probleme. Um den Funken zu vermeiden, schalte ich das BMS ganz ab und erst nach Anbindung des WR wieder ein. Dann läuft die Aufladung über den Mosfet, der verkraftet das aber in dieser kurzen Zeit. Das Problem ist eher, wie schnell der komplett durchschaltet bzw. wie das Gate angesteuert wird. I.d.R. passiert das aber in Bruchteilen von us, also ein paar 10er-Potenzen schneller.
Bei mir steht der Wert auch noch auf 1500 us, hatte bisher keine Probleme. Um den Funken zu vermeiden, schalte ich das BMS ganz ab und erst nach Anbindung des WR wieder ein. Dann läuft die Aufladung über den Mosfet, der verkraftet das aber in dieser kurzen Zeit. Das Problem ist eher, wie schnell der komplett durchschaltet bzw. wie das Gate angesteuert wird. I.d.R. passiert das aber in Bruchteilen von us, also ein paar 10er-Potenzen schneller.
Meinst du das BMS bzw. die Mosfets könnten dadurch auch schaden nehmen, bei großen Wechselrichtern zb.?
Achtung, einige meiner Angaben stammen von nicht kalibrierten oder geeichten Geräten. Bei Risiken und Nebenwürgungen schreiben sie die Packungsbeilage und vertrauen sie nicht meinen Angaben oder denen ihres Spirituellen Führers! Denn für jede Lösung haben wir ein Problem. Vertrauen sie auf ihren Fehler und genießen sie die Reise. Alle Angaben ohne Gewehr!
Meinst du das BMS bzw. die Mosfets könnten dadurch auch schaden nehmen, bei großen Wechselrichtern zb.?
Das ist natürlich nicht ausgeschlossen, aber ich meine bei den meisten Geräten, egal ob WR oder andere Netzteile, sind die Elkos so dimensioniert, dass das für die Mosfets kein Problem sein sollte. Die Energie, die insgesamt übertragen wird, reicht nicht die Temperatur so weit zu erhöhen, dass die NPN-Übergänge Durchlegieren oder ähnliches. Bei sehr großen Elkos (oder schwachen Mosfets) kann man das natürlich nicht ausschließen. Die Mosfets sollten dabei aber nicht im Linearbetrieb sein, die Gatespannung muß also hoch genug sein, damit der Mosfet komplett durchschaltet, dann ist der R(ds) (Drain-Source-Widerstand) am kleinsten, oft in der Range um 10 mR oder weniger. Bei angenommenen 100A Surge Current hat der Mosfet dann kurzzeitig 100W zu verkraften, aber i.d.R. nur über max. 1 ms, das wären also nur 0,1 J an Energie. Bei 200 oder 300A steigt die Leistung ja quadratisch, aber selbst 900W bei 1 ms sind noch nicht einmal 1 J - das dürfte auch noch o.k. sein.
Die Mosfets sind ja so ausgelegt, dass sie auch einen Kurzschluß der Batterie ausschalten können sollen. Hin und wieder verkraften sie diesen Stromstoß aber nicht und sind dann defekt - im worst case dauerleitend (durchlegiert). Der Kurzschlußstrom dürfte aber wesentlich höher und vor allem länger sein, als der initiale Ladestrom der Eingangselkos. Um diese beiden Situationen unterscheiden zu können ist ja dieser Parameter 'SCP delay' (also short circuit protection delay) eingeführt worden. Wenn der SCP delay zu hoch gewählt wird, steigt die thermische Belastung der junction area und der Mosfet könnte eher durchbrennen. Also sollte der Wert mit Bedacht und nicht unnötig hoch eingestellt werden.
Der Witz beim FET ist, es gibt keine PN/NP Übergänge 😉
Es darf aber auch zu anderen BMS geschaut werden, da gibt es im ms Bereich einstellbare Überlastungzeiten.
Sonst würde ein Peak das BMS zum Abschalten bewegen.
Denkt man das weiter, macht es Sinn, daß der Akku abgeschaltet bleibt und die Aktivierung händisch erfolgen muss. Sonst hat man im echten Kurzschlussfall einen Blinker. An - aus - an - aus....
Der Witz beim FET ist, es gibt keine PN/NP Übergänge 😉
Hmmmm 🤔
Ich zitiere mal:
'An den Grenzen zwischen N und P-Dotierten-Bereich, kommt es zum sogenannten PN-Übergang.'
aus http://fmh-studios.de/theorie/mosfet/mosfet-halbleiter/
In den DBs ist von 'junction area' die Rede, Verbindungsstelle der N- und P-dotierten Bereiche.
Man könnte allenfalls aus den Graphen für die sog. 'Max. Safe Operation Area' ableiten, welche max. Ströme und Spannungen über welche Zeit erlaubt sind. Eng wird es hauptsächlich beim Strom, weil da können im Kurzschlußfall bei dicken Leitungen und guten Verbindungen schon mal kurzzeitig Ströme von einigen 100 A bis hin zu über 1 kA auftreten, allerdings nur über einige us, nach 100us ist das Gröbste schon überstanden. M.E. kommt es hier auf die Größe des dye (der aktiven junction area an), dort wird der Energiepuls in Wärme umgewandelt und je größer sie ist, desto mehr Wärmeenergie kann sie verkraften - da sie in der kurzen Zeit nicht abgeführt werden kann.
Es hängt letztlich vom Gesamtwiderstand im Schaltkreis ab, wie hoch die Initialströme werden. Bei einem 3000 - 5000 uF Elko kann man von ca. 20-40 mR ESR ausgehen, die DS-Strecke hat im leitenden Zustand auch noch 10-20 mR und die Leitungen und Kontakte dürften auch noch ein paar mR beisteuern. Wenn ich das in LTspice simuliere mit 20mR ESR und nur weiteren 5 mR Rds sowie Akku und Leitungen komme ich bei 30V und 5000uF auf bis zu 1,1 kA Initialstrom, nach 100us sind wir bei etwa 500A und nach 400us sind wir bereits bei unter 50A. Diese ersten kritischen us muß der Mosfet aushalten, die übertragene Energiemenge ist aber gering, daher auch keine große Erwärmung (hoffentlich).
P.S. Wenn wir mal über die ersten 200us von durchschnittlich 500A ausgehen, dann haben wir bei einem R(dson) von 20mR (das ist schon eher hoch) eine Leistung von 5000W anliegen, in der Zeit wird aber nur eine Energie von 1 Ws (= 1 J) übertragen. Allerdings ist die junction Area (um nicht NP-Übergang zu sagen) auch sehr klein und hat wenig Masse. Jetzt kommen die Rechenkünstler der Thermodynamik ins Spiel 🙂